貼片電容容值偏低的原因及解決的方法
很多客戶(hù)買(mǎi)到貼片電容回去測試以后發(fā)現貼片電容的容值就有偏低的現象，這時(shí)可能會(huì )會(huì )認為我們存在欺騙買(mǎi)家的行為，其實(shí)不是的。下面我們來(lái)分析一下貼片電容的容值為什么會(huì )偏低？導致貼片電容偏低的因素有什么？下面我們一起來(lái)分析一下。
1. 測試條件對測量結果的影響
對于貼片電容偏低的我們可以考慮一下測試條件對貼片電容容值的影響。對于不同容值的貼片電容需要采用不同的測試條件來(lái)測量容值，主要在測試電壓的設定和測試頻率的設定上有區別，貼片電容不同容值的測試條件為：
電容AC電壓頻率
容量＞10uF 1.0±0.2Vrms 120Hz
1000pF＜容量≤10uF 1.0±0.2Vrms 1KHz
容量≤1000pF 1.0±0.2Vrms 1MHz
2. 測量?jì)x器的差異對測量結果的影響
大容量的電容（指1uF以上的容值）測量時(shí)更容易出現容值偏低的現象，造成這種現象的主要原因是施加在電壓兩端的實(shí)際電壓不能達到測試條件所需求的電壓，這是因為加在電容兩端的測試電壓由于儀器內部阻抗分壓的原因與實(shí)際顯示的設定電壓不一致。為了使測量結果誤差降到最低，我們建議將儀器調校并盡量把儀器的設定電壓跟實(shí)際加在電容兩端所測的電壓盡量調整，使實(shí)際于待測電容上輸出的電壓一致。
3.影響貼片電容容值測量偏低的因素
（1)測試儀器內部的阻抗大小影響
由于不同的測試儀器之間的內部阻抗都不同，造成儀器將總電壓分壓而使加在測試電容兩端的實(shí)際電壓變小。在實(shí)際的測試過(guò)程中，我們有必要先使用萬(wàn)用表等工具測試夾具兩端的實(shí)際電壓，以確定加在測試貼片電容兩端的輸出電壓。
（2）不同阻抗的測試儀器的輸出電壓對比如下：
儀器內阻100Ω
1V*（100Ω/（100Ω+16Ω））=0.86V
10uF測試電容的兩端電壓：
1V*（16Ω/（100Ω+16Ω））=0.14V
平均電容值讀數：6-7uF
儀器內阻 1.5Ω：
1V*（1.5Ω/（1.5Ω+16Ω））=0.086V
10uF測試電容兩端電壓：
1V*（16Ω（1.5Ω+16Ω））=0.914V
平均電容值讀數：9-10uF
4. 測量環(huán)境條件對測量結果的影響
貼片陶瓷電容系列產(chǎn)品被稱(chēng)為非溫度補償性元件，即在不同的工作環(huán)境下，電容量會(huì )有比較顯著(zhù)的變化，在不同的工作環(huán)境下，電容標稱(chēng)值與實(shí)際容值之間的差異。例如，在40℃的測試容量將比25℃的測試容量低了接近20%。由此可見(jiàn)，在外部環(huán)境溫度比較高的情況下，電容容值的測試值就會(huì )顯得偏低。我們通常建議放置在20℃的環(huán)境下一段時(shí)間，使材料處于穩定的測試環(huán)境下在進(jìn)行容值測試。
5、貼片陶瓷電容產(chǎn)品材料老化現象
材料老化是指電容的容值隨著(zhù)時(shí)間降低的現象，這再所有以鐵電系材料做介電質(zhì)的材料產(chǎn)品中均有發(fā)生，是一種自然的不可避免的現象。原因是因為內部晶體結構隨溫度和時(shí)間產(chǎn)生了變化導致了容值的下降，屬于可逆現象。當對老化的材料施加高于材料居里溫度段時(shí)間后（建議進(jìn)行容值恢復所使用之條件為150℃/1hour），當環(huán)境溫度恢復到常溫后（常溫25℃下放置24小時(shí)）,材料的分子結構將會(huì )回到原始的狀態(tài)。材料將由此開(kāi)始老化的又一個(gè)循環(huán)，貼片電容的容值將恢復到正常規格之內。
用以上方式驗證，把測試容量偏低的電容器浸在錫爐或者回流焊后，再進(jìn)行測試，容值會(huì )恢復到正常范圍之間
